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磁控溅射技术近年来发展很快,其代表步骤有平衡磁控溅射、反映磁控溅射、中频磁控溅射和高能量脉冲磁控溅射等。
溅射镀膜工艺重要是将必要镀膜的资料造备成靶板,固定于溅射镀膜系统的阴极上,所述靶板的基片置于正对靶表表的阳极上。溅射系统抽到高真空后充入氩气等,使阴极与阳极之间产生高压负载,阴阳极之间产生低压辉光放电。由放电产生的等离子体中,氩气正离子在电场的作用下向阴极活动,与指标表表发生碰撞,被碰撞而溅射的指标原子被称为溅射原子,溅射原子的能量通常在一至几十电子伏领域内,溅射原子先在基底表表沉积,而后形成膜。溅射膜是指用低气压辉光放电产生的氩气正离子对阴极靶进行高速度的电场轰击,溅射靶内的原子或分子等粒子,使之沉积到基片或工件表表,从而形成所需的薄膜层。但在镀膜过程中,溅射出的微粒能量很低,成膜率较低。

磁节造溅射是获得高质量镀膜技术中利用最为宽泛的工艺,新型阴极的利用使其拥有较高的靶材利用率和较高的沉积速度,真空磁节造溅射镀膜工艺目前宽泛利用于大面积基材的镀膜中。本步骤不仅可用于单层膜的沉积,也可用于多层膜的镀造,也可用于包覆膜、光学膜、贴膜等的包覆工艺。

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